化学气相沉积碳化硅涂层石墨盘技术

成果名称：化学气相沉积碳化硅涂层石墨盘技术

成果拥有单位：国防科学技术大学

成果简介：

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。GaN材料的制备主要采用气相外延生长的方法，石墨盘是外延生长GaN晶体的必备耗材。由于石墨材料在高温、腐蚀性气体环境下会发生腐蚀掉粉现象，从而将粉体杂质引入到单晶材料中。因此，涂覆高纯度、均匀致密的保护涂层是解决该问题的唯一方法。经化学气相沉积碳化硅涂层后的石墨盘具有耐高温、抗氧化、纯度高、耐酸碱盐及有机试剂等特性，满足高纯度单晶生长环境的需要，国外已将其作为一种新耗材在MOCVD外延生长设备上大规模使用，但国内还没有这一相关的产品。

国防科技大学从2000年开始，一直致力于化学气相沉积碳化硅涂层制备技术应用研究，突破了碳化硅涂层制备的各项关键技术，具备了大尺寸（直径700mm）碳化硅涂层制备能力，获得国家发明专利授权1项。本实验室制备的碳化硅涂层的特点是：（1）高温抗氧化：温度高达1600℃时抗氧化性能仍然非常好；（2）纯度高、均匀、致密、颗粒细、无缺陷；（3）耐冲刷；（4）抗腐蚀性：耐酸、碱、盐及有机试剂。该技术在石墨盘方面具有很好的推广应用前景。

碳化硅涂层石墨盘是各半导体厂家必不可少的耗材，目前，该产品全部依赖进口，价格昂贵，且受制于人。因此，本实验室开发的碳化硅涂层石墨盘技术一旦实现产业化，将对我国的半导体行业具有重要的战略意义和市场经济价值。

合作方式：面议。

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